第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望变革SSD

专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布,继去年底首次提供预产样品之后,现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。

MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,当同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的有点。

STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入,具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点,但容量密度提升困难。

早在2012年的时候,Everspin就发布了第一代STT-MRAM,40nm工艺制造,封装在一颗DDR3标准模块中,兼容JEDEC DDR3-800,但容量只有256Mb(32MB),使其主要只能用于嵌入式领域。

第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望变革SSD

最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工艺,封装于DDR4,支持8-bit或者16-bit界面,传输率1333MT/s(667MHz),容量增大到了1Gb(128MB),翻了两番。

这或许能让MRAM走进更广泛的应用领域,但要想追上DRAM内存的存储密度还有很长的路要走,更别说媲美NAND闪存了。

因此,在很长一段时间内,都不太可能看到机遇STT-MRAM的内存或存储产品,但或许能实现混合式SSD,比如讲部分或全部DRAM缓存更换成MRAM,性能更强,还不怕掉电变砖。

事实上,IBM、希捷都在这么做了,近两年还都展示了一些原型。

Everspin还有一个独特优势,那就是唯一一个能提供独立MRAM芯片的厂商,而在未来路线图上,他们计划下一步应用GlobalFoundries 22nm FD-SOI工艺,进一步提升STT-MRAM的性能和容量。

第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望变革SSD

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